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这三种工艺是:低功率氮氧化硅介质工艺(代码28LP);高K金属门高性能工艺(代号28HP)和低功率高K金属门工艺(代号)。其中,28LP工艺技术公司TSMC多次宣布将在明年第一季度开始小批量试生产(预计在3月左右)。该工艺的特点是制造成本低,实施简单,主要用于手机和各种移动应用。

后两种工艺,28HP和28HP,在栅极部分采用高K介电金属栅极结构,与这两种技术相关的开发计划由TSMC首次公开。TSMC表示,28HP工艺将于明年第二季度(6月左右)开始小批量生产,以高性能为重点,并将应用于CPU、GPU、芯片组、FPGA、网络、游戏主机、移动计算等常规应用。该工艺将于明年第三季度开始小批量生产,可用于手机、上网本、无线通信、便携式消费电子设备等。此外,TSMC还表示,该国在其工艺中采用了最后一道工序技术。

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目前各种信息显示,在TSMC和其28nm进程之间摇摆不定,TSMC的表白显然会起到一定的吸引眼球作用——当然,获胜的前提是届时芯片产量能达到合适的水平。

小信息:

最后一关

一种制造金属栅极结构的工艺技术,其特征在于,在完成漏极/源极区的离子注入操作和后续的高温退火步骤后,形成金属栅极;相反,栅极工艺的特征在于金属栅极在漏极/源极离子注入操作和随后的退火步骤完成之前产生。

退火过程需要数千度的高温处理,最后一个栅极工艺可以使金属栅极避免高温退火过程。因此,与栅极工艺相比,前者对用于制造金属栅极的金属材料的要求较低,但相应的工艺技术也更复杂。英特尔是Gate-last工艺的坚定支持者,而IBM/AMD将采用Gate-first工艺制作32nm工艺的金属栅极。

CNBeta编译

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原文:fudzilla

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