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admin 2021-12-09 08:46:28 举报

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这两年内存涨价影响了中国玩家的心。小的时候影响了大家的兴趣，买内存要花很多钱；从更大的尺度上来说，这个事情也关系到中国企业能否冲击世界顶尖高科技产业，如果能干掉他们，就能达到世界第四(虽然中国企业的野心不止于此)。国家强调制造业升级，以内存、闪存、处理器为代表的集成电路产业是中国企业尚未大规模攻克的重点领域之一。

2011年，泰国发生了一场大洪水，对西部数码的硬盘厂造成了严重的破坏。当年硬盘出货量暴跌，硬盘价格上涨。然而，这场灾难的最大受害者不是西电或希捷，而是一年后。日本埃尔皮达公司2012年破产。直接原因是巨额亏损。当年2月底亏损高达56亿美元。根本原因是PC市场低迷，高价Elpida内存销量不佳。

埃尔皮达是撑不了几年的，不然四五年后，内存市场火爆到一年只赚回56亿美元的亏损都很容易。埃尔皮达的倒台不仅仅是一家公司的破产。此后，日本也退出了DRAM行业，这个市场逐渐被韩国、美国三大公司垄断。

半导体行业是有周期的。2012年埃尔皮达下跌时，内存价格跌至谷底。之后在2013年开始大幅上涨。2014年，随着DDR4平台进入主流市场，价格迅速下跌，跌至8GB。只要白菜价格199元，三星和美光公司的内存芯片业务就举步维艰。2016年上半年，美光的财务报告仍同比下降30%

然而悲剧结束了。自2016年第三季度以来，内存和闪存的价格一直在持续上涨。以下情况大家都知道。价格上涨一直持续到Q1 2018年。目前内存价格还算高，典型价格699元。上一次价格大概在750元，去年11月底的峰值在900元左右。

全球内存市场几乎被美国和韩国垄断。不知道曾经主导内存芯片市场的日本人是怎么想的。他们会不会觉得埃尔皮达只会破产？不能说日本人民能不能承受产业链被外企控制的痛苦，但中国承受不了这波涨价。首先，中国的仓储市场比日本大得多。中国公司严重依赖进口闪存芯片，从个人电脑到数字到智能手机，甚至工业应用。2016年，芯片的进口额为1164亿美元，而一直位居第一的石油进口额为1164亿美元。其中，内存条占20%以上，价值400多亿美元，但中国的进口依存度几乎是100%，这意味着没有一家中国大陆公司能真正在市场上设计、生产和销售内存条。

当然，如果算上那边的华亚科和南亚公司，也能给我们挽回一点面子。但南亚和华亚科在内存市场的份额在5%左右，华亚科已经被美光收购。这两家公司无论是技术实力还是产能都比不上其他三巨头，也改变不了市场结构。

另外大陆人思想水平比较高，不会凭空占同胞便宜。这么大的事情他们还是要自己去做。现在业界也有一万年造核潜艇的势头。记忆的伟大事业还是靠我们自己。那就来吧！

国内记忆现状：三大阵营浮出水面

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中国大力发展半导体产业的雄心在世界上是众所周知的。按照《中国制造2025》的要求，国产芯片的自给率2020年要达到40%，2025年要达到70%。中国目前的芯片自给率是20%，内存芯片是0。按照这个苛刻的标准，2025年将达到70%的自给率，留给内存行业的时间不多，尤其是考虑到内存在国内的推出。

在前面的文章中，我们提到了目前国内内存芯片的发展以闪存为主。闪存芯片整个行业产值不如内存，但技术难度较低，国内积累的基础较好。长江存储的前辈武汉欣欣科技和赵一创新在NAND和NOR闪存行业摸索多年，基础很少，率先开发闪存是理所当然的事情。相比之下，DRAM内存的门槛更高，开发难度更大。目前国内主要有三大阵营，分别是以内存芯片紫光为代表的国家队，合肥长信/赵一创新，福建金华。

紫光的子公司长江仓储，大家都很熟悉。公司在武汉鑫鑫科技的基础上进行了重组。考虑到其背景，他们可以说是国家队的代表。但是长江存储主要是NAND闪存。目前已经开发出32层堆栈闪存。该晶圆厂预计将于2018年下半年量产，未来将陆续推出64层及以上堆叠的3D闪存。

紫光的记忆与其子公司Xi安紫光国鑫半导体有关。轰动网络的紫光DDR4内存就是源于他们，这家公司的经历也很传奇。最初，它们是英飞凌于2003年在Xi设立的存储部门。有些玩家可能还记得，英飞凌当初也是半导体市场的领头羊。内存，闪存，甚至基带业务都有涉及，但是跟不上时代。业务被拆分出售(这家公司还在)，基带业务被卖给了

仓储事业部被拆分为齐公司，达未能逃脱破产命运。Xi安仓储部于2009年出售给中国Inspur公司，随后Xi安华信科技重组成立。他们承担了许多国家863计划。核高基专项中的存储芯片项目和课题都是在存储技术中积累的。2015年，由紫光公司组建，成立Xi安紫光国鑫公司。此前，紫光公司在全国先后收购整合了一波

中国发展记忆的第二个基地是安徽省会合肥。对于很多人来说，这是一个陌生的小城市。但安徽政府也抓住了半导体发展的机遇。合肥本身在半导体行业努力了很多年。联发科和满妹电子

、京东方、科大讯飞、中科38所等知名公司、单位都在合肥设立了分公司或者研究所。具体到内存芯片上，见诸报道的主要涉及两家，一个是合肥长鑫，一个是兆易创新，我们分开来说。

合肥长鑫的内存项目在网上动静不小，不过这家公司还挺神秘，找不到什么官网，报道出来的多是第三方视角，包括给他们建设基地、提供材料的公司等等，比较靠谱的是合肥市政府官网一篇报道，提到在经开区，合肥长鑫高端通用存储晶圆制造项目正在施工。

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该项目拟建成业界先进工艺制程的12英寸存储器晶圆研发项目，计划2017年厂房建成，明年上半年完成设备安装和调试，预计下半年产品研发成功。，而这个项目投资高达72亿美元，大约494亿人民币的投资，完工后月产能可达12.5万片晶圆，这个产能是什么概念呢?在中国无锡的DRAM晶圆厂月产能大约为13万片晶圆，但这是一个持续多年的投资，合肥长鑫一次建设的产能就有这么大，规模可见一斑。

在合肥的内存项目不止长鑫一个，总部位于北京的兆易创新公司10月底宣布与合肥市产业投资控股集团达成了合作协议，项目预算大约180亿元，将开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)的研发，目标是在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于10%。

这是继长鑫之外另一个重大DRAM项目，也是目前国产DRAM内存项目中唯一一个明确公开技术目标的，今年底完成的19nm工艺DRAM内存要求可不低，要知道三星目前最先进的DRAM公司也就是18nm工艺而已当然，三星的是量产，兆易创新的是试产，而且良率要求很低，不低于10%就是成功了，距离量产还很远。

第三个国产内存基地是福建晋华，晋华是福建省政府下属的投资公司，合作方是台联电UMC，没错，就是哪个搞代工的联电。根据报道，双方合作的项目去年就动工了，投资约为53亿美元，预计今年Q3季度试产，月产能大约为6万片晶圆，规模比其他两家要小一些。此外，这次的合作模式也比较奇特，联电在代工技术上有资本。

但在存储芯片研发上早前的尝试并不成功，而且这种东西很烧钱，现在找到了大陆政府基金合作，技术则是依赖联电及台湾方面的r人才，相比之下紫光、合肥长鑫、兆易创新的项目则是强调本土研发，虽然也从日本、韩国及台湾公司挖了不少人才，但主动权至少在大陆公司手里。

上述三大国产内存项目中，晶圆厂大多还在建设中，进度快的也是今年下半年才开始试产，量产要等到2019年甚至更远的时间去了，而现在真正能有成品上市的只有紫光西安国芯半导体，原因上面也说了，他们本来就有内存生产、研发的基础，所以这段时间以来在网上曝光的国产内存都跟西安国芯有关，我们来看看西安国芯的DDR内存到底怎么样吧。

国产内存先锋：西安紫光国芯率先生产内存

很多人没意识到的是，西安紫光国芯的DDR3其实很早就有了，而且在不少行业已经有应用了，比如国产的神威超算等，但在消费级市场并不为人所知，也是这一波内存涨价才导致国产内存备受关注，紫光内存也在淘宝上有商家出售了，不过评测很少。在B站上，1月初Fun科技上传了一个视频，评测了紫光DDR3-内存条，有兴趣的可以了解下。

从他们的描述来看，紫光DDR3-160011-11-11-28时序的内存条性能并不比三星、金士顿的差，不过这话其实也是很正常的废话，内存条是很标准的产品，只要频率、时序符合JEDEC标准，每家的内存条性能理论上都应该是一样的，没差距实属正常。好在评测中他们提到紫光DDR3内存的超频性能不错，似乎能上到DDR3-2000频率而不需要加压，这时候三星、金士顿甚至都不能开机。

总的来说，紫光的DDR3内存条性能、超频都很不错，除了外观略山寨之外，其他挑不出来毛病已经是好评了。看完了有实物的DDR3，再来说说DR4内存。网络第一次报道国产DDR4内存是一次乌龙，那次涉及的只是DDR3内存，紫光公司后来也辟谣说还没有量产DDR4内存，不过这一次国产DDR4内存来得很快，我们前不久也报道了西安国芯官网明确提到了可以长期供货DDR4、DDR3内存在内的芯片和裸晶圆，意味着DDR4内存国产化也有着落了，具体如下图所示：

有意思的是，紫光国芯的中文官网上点开产品列表是没有DDR3内存信息的，但是英文版页面上就有三款DDR4内存条可提供，容量分别是4GB、4GB、8GB，频率都是DDR4-2133，跟DDR3内存一样都是最基本的规格，核心颗粒、制程工艺未知，这两方面应该跟三星、SKHynix的产品相差较大，毕竟国内在内存技术上落后还是挺多的。

国产内存面临的尴尬：不止规格落后，价格也没优势

内存技术上我们毕竟比日本、韩国、美国落后多年，规格差点还可以忍了，不过国产内存面临的考验可不只是这一点，还有一个对普通消费者来说更重要的问题，那就是价格。之前提到的B站up测试紫光DDR3内存时给人最大的刺激倒不是紫光内存flash内存相关文章最新报道性能多强，而是当时的价格，当时宣称4GBDDR3只要120元，这性价比简直吊打三星、金士顿了，不过遗憾的是当时售价可能确实如此，但淘宝上现在出售紫光DDR3内存的价格是4GB内存条220元，8GB440元。这价格现在是什么水平呢?

淘宝上虽然不乏售价较高的金士顿4GBDDR3内存条，不过随便一找还是有很多售价150元左右的内存在售，紫光的已经没有性价比了，而且金士顿的内存条销量远远超过紫光。

这种情况会让人费解吗?许多人天真地以为国产厂商介入之后，国产内存就会迅速用价格冲击三星、金士顿等公司，消费者能从激烈的竞争中得到实惠这个结果值得中国玩家期待，但是现实往往很残酷，对内存芯片这种高科技产品来说，决定成本的是厂商的技术成熟度、产能等等，在这方面先入者是有巨大优势的，直接说就是紫光跟三星这样硬拼，不论价格还是产能、技术都没有胜算，毕竟婴孩跟成人打架，几乎是没可能赢的。

真正出现在市场上的情况应该是一旦紫光的闪存、内存工厂落成，并开始生产，期间会遭遇各种技术问题，良率也不会很高，但是紫光还是会用价格优势去抢市场，背后则要承担巨额的亏损不过别担心，紫光烧得起，不会像尔必达那样破产，不仅是因为有大基金在输血，也因为中国市场已经足够大，2025年大概会占到全球集成电路市场份额的46%，只要能够在中国市场站稳，紫光或者其他国产内存公司就能活下去。

在这方面，中国公司已经有一个正面的例子，那就是京东方，曾经的面板产业跟现在的集成电路产业一样都是中国最大宗进口产品之一，也都是被韩国、日本公司垄断，中国公司烧钱拼产能、拼技术才有了京东方、天马微电子、华星光电等国产面板领军企业。

flash插件是什么 flash8

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有“参考计数法”和“明码标价法”两种操作模式。

引用计数通过计算指向对象的引用数来确定是否清除该对象。如果一个对象的引用数为0，表示程序不能再访问该对象，则清除，如果引用数不为0，则不清除。这种方法运行成本较低，但不能清除循环引用关系的对象集合。标记-清除方法是从程序的根对象遍历每个引用所指向的对象。遍历经过的对象并标记它。最后，清除所有未标记的对象。这种方法比较彻底，但是运行成本高。

运行GC的时间不是固定的。它会根据你的内存使用情况来决定运行GC的时间。它会根据用户机器的内存值设置一个阈值，然后将程序占用的内存保存在阈值附近。

详见文章“理解nflashplayer 9中的垃圾收集”。

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由于FlashPlayer的“不确定”GC机制，我们要做的主要任务就是保证创建的对象在不需要的时候可以释放。确保对象可以被释放的主要原则是没有外部引用指向该对象，除非外部引用没有设置为空。一般情况下，以下情况也会导致对象不被释放

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1.remove不监听任何事件。比如A对象监听一个事件，监听函数EventHandler存在于B对象中，这就意味着A对象会保存一个B对象方法的引用，导致B对象的内存无法释放。

解决方法是在调用addEventListener时移除监听事件或将监听函数设置为弱引用，但此方法只适用于一次性监听。

2.使用BindingUtils.bindSetter()和ChangeWatcher.watch()绑定对象后，绑定不会被清除。道理和1一样。事实上，绑定一个对象意味着监听它发送的PropertyChange事件。

解决方法是使用ChangeWatcher.unwatch()清除绑定关系。

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3.声明样式并在样式中使用嵌入的资源。例如，样式名称在mx:Style标记中定义。为对象定义样式相当于向外部世界声明一个全局可用的样式，因此它可能导致对象的引用被保存在外部，这可能导致对象不被释放。

解决方案许多解决方案可以使用动态加载的样式，或者使用类或模块来专门管理样式。这些解决方案取决于程序的架构设计。

4.用ExternalInface.callBack()声明外部API函数。类似于情况1，当一个对象在外部声明API时，对该对象的引用保存在外部。

解决方法：如果之前已经用externalinfiace . callback(API name，functionname)声明了API，可以用externalinfiace . callback(API name，null)取消API。

5.有些控件类似于文本输入，或者由这些控件组成的自定义组件不能被释放，即使这些控件从显示列表中删除并且引用这些控件的对象被删除。这个问题别人也提出过。是Bughttp://bugs.adobe.com/jira/browse/SDK-14781.这个问题大概和flash的焦点管理机制有关。

目前的解决方案是等待焦点转移到其他控件上，比如点击其他控件，这样就可以通过GC释放之前的控件对象。

我们应该什么时候准备垃圾清理？之前有文章说要听组件的removeFromStage事件，在其处理方法中进行垃圾清理准备。清除引用，删除监听器，清除绑定关系，取消外部API。

其实这个方法不太准确。因为当组件从显示列表中移除时，会发送removedFromStage事件，所以这并不意味着组件对象的生命周期已经结束。只要程序保留了组件对象的引用，就可以再次将组件对象添加到DisplayList中。此时，组件对象将发出addedToStage事件。如果您只是在removedFromStage事件的侦听器函数中准备对象的垃圾清除，组件对象的原始状态可能会被破坏，并且在组件被重用时无法使用。

因此，更好的做法应该是在removedFromStage中使用addedToStage，两个事件之间的对应关系。在removedFromStage事件的处理方法中准备垃圾清理。清除引用、删除监听器、清除绑定关系、取消外部API等。并在addedToStage事件的处理方法中执行removedFromStage事件的处理方法的反操作。设置引用，添加监视器，设置绑定关系，设置应用编程接口.也可以看作是组件对象的初始化操作，可以保证组件对象从DisplayList中移除后可以释放相应的内存，如果保存其引用并重新添加到DisplayList中，则可以重用。

最后，翻译一个关于内存清理的建议

原文

1 . usageofinstancemembersinsteadofstaticmemberscaneasilyetedtectwiteprofiler(在可能的情况下替换为staticmembers)

2.usageofweakreferencesand/orremovalofeventList

enersafterconsumptionoftheevent(ifposible)helpsreducingthememoryusage

3.moduleLoader.unloadModuleleaksmemory,usemoduleLoader.urlnullinstead

4.modulememoryisfreedatarbitrarytimes(notatunload)

5.runnningdebugversionofmodulesleakshugeamountsofmemorynomatterwhichcontainerisused

6.declaringmodulesasmodulesintheconfigurationofaflexbuilder3project(andnotasapplicationslikeinFlexBuilder2)andoptimizingforaspecificapplicationreducesmodulesizedrastically

7.forcinggarbageCollection(doubleLocalConnection.connecthack)isnecessaryinordertomeasureleaksandtokeepmemoryundercontrol

8.usethereleaseversionofthemoduleswf

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9.uninstallthedebugflashplayer(uninstall_flash_player.exe)

10.installthereleaseversionoftheflashplayer(install_flash_player_active_x.msi)