24日，TSMC宣布已将低功耗工艺纳入28nm高介电层/金属栅极(HKMG)工艺的技术蓝图，预计将于2010年第三季度进行试生产()。
本文所指的地址：
自2008年9月TSMC公布28纳米技术以来，技术的发展和进入大规模生产的时间表已经按预期进行。就试生产时间表而言，低功率氮氧化硅(28LP)工艺的试生产预计在2010年第一季度末开始，高效高介电层/金属栅极(28HP)工艺的试生产预计在2010年第二季度末开始，而低功率高介电层/金属栅极(28HP)工艺的试生产时间表将在前两者之后，即2010年第三季度开始
TSMC的最后一门工艺是28HP工艺的延伸，强调低功耗和低泄漏，但仍保持中高效率。就技术而言，它适用于许多低功耗应用，如手机、智能上网本()，无线通信、便携式消费电子产品等。
该工艺具有完整的组件支持，适用于一般市场应用的片上系统(SoC)平台，并与28LP工艺具有自身的强大特点。28LP是从氮氧化硅(SiON)工艺延伸而来，因此成本较低，有利于快速上市，特别适合手机和手持设备。
此外，TSMC在2008年9月宣布的28HP工艺也采用了gate-last方法，适用于面向高性能的应用，如中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、芯片组和可编程门阵列(FPGA)、游戏控制台和移动计算。
TSMC研发部副总经理孙元成博士表示：在技术开发过程中，我们采用了栅末法开发28HPL相关技术，在晶体管特性、高阶和低阶应用优势以及可制造性方面均优于栅先法。
zx。WnfCw。cNTSMC先进技术事业部高级副总经理刘德银博士说：我们与客户一起开发低功耗在HKMG工艺中的应用已经有一段时间了。将28HPL并入28纳米工艺系列，加上28LP和28HP工艺，代表了TSMC目前向行业提供的最全面的28纳米工艺组合。
为了在各种不同的客户产品中充分发挥28纳米工艺的功效，TSMC与客户和设计合作伙伴密切合作，在我们的OpenInnovationPlatform (OIP)上提供了一个完整的设计框架。开放创新平台由TSMC领导，对客户和合作伙伴开放。
相关阅读
标签： #金属栅相关文章最新报道
